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主要用途

RPD蒸鍍制備ITO導電膜

物理及化學特性

化      學      式：                                  In2O3/SnO2

外                觀：                                  綠色塊狀陶瓷

晶     粒       度：                                  5~15μm

電     阻       率：                                  1.2×10-4Ω·cm

線   脹  系   數(shù)：                                  5.8×10-6K-1

相  對   密   度：                                  60±2%

純                度：                                  ≥99.99%

產(chǎn)品檢測方法

晶      粒      度：                                  掃描電鏡（SEM）觀察。

純                度：                                  ICP—AES分析測試雜質(zhì)含量。

密                度：                                  手測法（千分尺、分析天平）。